Page-3 모든 제품 - Shandong Zhongshan Photoelectric Materials Co., Ltd

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모형: Octafluoropropane CAS#: 76-19-7

C3F8 Octafluoropropane CAS : 76-19-7 99.999% 고순도 웨이퍼 에칭 재료 제품 사용 크세논 디 플루오 라이드는 중성 또는 알칼리성 용액에서 분해되며 산성 용액에서 비교적 안정적이다. 수성 용액은 매운 냄새를 갖는다. 크세논 디 플루오 라이드 증기는 무색이며 구역질 악취가 있습니다. 전자 산업에서 XEF2는 종종 실리콘의 에칭 가스로 사용됩니다. XEF2와 실리콘 사이의 화학적 반응은 자발적 반응이기 때문에, XEF2는 실리콘의 에칭 과정에서 매우 높은 선택성을 갖는다. XEF2에 의한 실리콘을 에칭하는 과정에서, XEF2 가스는...

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Boron11 반도체 드라이 에칭 반도체 도펀트

단가: USD 500 / Gram

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모형: Boron11

Boron11 반도체 도펀트 반도체 드라이 에칭 제품 소개 트리 에틸 붕소 11 산은 또한 에틸 붕산염 및 트리에 톡시 붕소라고도합니다. 화학적 공식은 C6H15BO3이고, 분자량은 145.99이고, 용융점은 -84.5 ° C이고, 비등점은 117.5 ° C입니다. 트리 에틸 붕소 11 산은 약간의 냄새와 놀라운 열 안정성을 갖는 무색 및 투명한 액체이다. 에탄올과 에테르로는 무관하고 물에서 분해됩니다. 트리 에틸 붕소 11 산산은 실리콘 웨이퍼의 표면에 얇은 층에 통합 될 도핑 소스로서 사용될 수 있으며, 반도체의 전기 화학적 특성을 변경하기 위해 지정된 양에...

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반도체 에칭을위한 크세논 디 플루오 라이드 XEF2

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모형: Xenon Difluoride CAS: 13709-61-0

Xenon Difluoride CAS : 13709-61-0 XEF2 반도체 에칭 용 99.9% 3N 제품 사용 크세논 디 플루오 라이드는 중성 또는 알칼리성 용액에서 분해되며 산성 용액에서 비교적 안정적이다. 수성 용액은 매운 냄새를 갖는다. 크세논 디 플루오 라이드 증기는 무색이며 구역질 악취가 있습니다. 전자 산업에서 XEF2는 종종 실리콘의 에칭 가스로 사용됩니다. XEF2와 실리콘 사이의 화학적 반응은 자발적 반응이기 때문에, XEF2는 실리콘의 에칭 과정에서 매우 높은 선택성을 갖는다. XEF2에 의한 실리콘을 에칭하는 과정에서, XEF2 가스는 실리콘...

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몰리브덴 VI 플루오 라이드 MOF6

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모형: MolybdenuM(VI) Fluoride MoF6 CAS:7783-77-9

몰리브덴 (VI) 불소 MOF6 CAS : 7783-77-9 99.9% 3N 고순도 제품 소개 몰리브덴 헥사 플루오 라이드 (MOF 6 )는 저온에서 일종의 흰색 블록 결정이며, 상대 분자량은 209.93, 용융점은 17.5 ℃이고 비등점은 35 ℃이며 습식 공기에 민감합니다. 몰리브덴 헥사 플루오 라이드는 많은 금속 (금과 백금 제외)을 침식하고 금속 표면을 파란색으로 돌릴 수 있습니다. 몰리브덴 헥사 플루오 라이드는 몰리브덴의 동위 원소 분리에 사용될 수 있으며, 저항성이 낮고 융점이 낮은 상호 연결 및 그리드 전극을 생성하기 위해 몰리브덴 실용 살충제 또는...

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5N 황 헥사 플루오 라이드 SF6 전자 특수 가스

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모형: Sulphur Hexafluoride CAS: 2551-62-4

황 6 헥사 플루오 라이드 CAS : 2551-62-4 SF6 99.999% 5N 고급 전자 특수 가스 제품 사용 유황 육면 플루오 라이드 는 분자량이 146.07, 용융점 -51 ° C 및 끓는점 -64 ° C 인 무색, 무취, 무독성, 불염 성 불활성 가스입니다. 황 6 헥사 플루오 라이드의 분자 구조는 팔각형에 배열되고, 결합 거리는 작고, 결합 에너지가 높기 때문에 안정성이 높다. 전자 등급 고 화석 황 6 헥사 플루오 라이드는 이상적인 ''입니다. 황 6 헥사 플루오 라이드는 실리콘 표면을 에칭하고 반도체 재료에서 유기 또는 무기 막을...

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물 에칭 화학 물질 제를위한 카르 보닐 불소 CF2O

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모형: Carbonyl fluoride CAS#: 353-50-4

카르 보닐 불소 CAS : 353-50-4 CF2O 99% Hight 순도 물 에칭 화학 물질의 경우 제품 소개 카르 보닐 불소의 분자량 (CF 2 O)은 66.01이고 용융점은 -114 ℃이고 끓는점은 -84 ℃이다. 카르 보닐 불소는 피부와 호흡기 점막에 강한 자극 효과를 갖는 고도로 독성이 많고 자극적 인 가스이며, 물과 에탄올에 용해되어 물에 분해되어 고독한 부식성 가스를 방출 할 수 있습니다. 새로운 세대의 전자 산업에서 에칭 가스 및 청소 가스로서, 카르 보닐 불소는 온실 효과가 매우 낮으며, 지구 온난화가 매우 낮고 대기 수명이 매우 낮은 환경...

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황 6 헥사 플루오 라이드 SF6 고급 전자 특수 가스

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모형: Sulfur Hexafluoride CAS: 2551-62-4

황 6 헥사 플루오 라이드 CAS : 2551-62-4 SF6 99.999% 5N 고급 전자 특수 가스 제품 사용 유황 육면 플루오 라이드는 분자량이 146.07, 용융점 -51 ° C 및 끓는점 -64 ° C 인 무색, 무취, 무독성, 불염 성 불활성 가스입니다. 황 6 헥사 플루오 라이드의 분자 구조는 팔각형에 배열되고, 결합 거리는 작고, 결합 에너지가 높기 때문에 안정성이 높다. 전자 등급 고 화석 황 6 헥사 플루오 라이드는 이상적인 ''입니다. 황 6 헥사 플루오 라이드는 실리콘 표면을 에칭하고 반도체 재료에서 유기 또는 무기 막을...

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고순도 수소 H2 고순도 전자 특수 가스

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모형: High purity hydrogen CAS:135-77-3

고순도 수소 CAS : 135-77-3 H2 99.999% 5N 고급 전자 특수 가스 제품 사용 고순도 수소 (H2)는 무색의 무취 가스 가스입니다. 공기의 가연성 한계는 4.1% -74.1% (부피 농도)입니다. 실온에서, 수소는 본질적으로 매우 안정적이며 다른 물질과 화학적으로 반응하는 것은 쉽지 않습니다. 고순수 수소는 전자 마이크로 칩 및 기타 산업에서 매우 중요한 응용 프로그램을 가지고 있습니다. 일부 전자 재료 및 기질 제조의 성장에서, 산화 공정, 에피 탁상 공정 및 화학 기상 증착 기술, 수소는 반응 가스로 사용되어 가스 또는 보호 가스를 감소시킨다....

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반도체 에센트 가스에 대한 헥사 플루오로 에탄 C2F6 Hight 5N

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모형: Hexafluoroethane CAS: 76-16-4 C2F6

헥사 플루오로 에탄 CAS : 76-16-4 C2F6 Hight 순도 반도체 에센트 가스의 경우 99.999% 5N 제품 소개 퍼플 루오로 에탄으로도 알려진 헥사 플루오로 에탄 (C 2 F 6 )은 일종의 무색, 무취, 비유 성 불활성 가스입니다. 정상 온도와 압력에서, 용융점은 100.6 ℃이고, 비등점은 78.2 ℃이며, 물에 약간 용해됩니다. 헥사 플루오로 에탄은 R125 및 불소 가스의 반응에 의해 생성 된 후 정제 및 정류 후 전자 등급 생성물을 얻었다. 비 독성, 무취 및 높은 안정성으로 인해 Hexafluoroethane은 반도체 제조 공정에서 널리...

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텅스텐 헥사 플루오 라이드 WF6 고 반도체 재료

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모형: Tungsten hexafluoride CAS#: 7783-82-6 WF6

텅스텐 헥사 플루오 라이드 CAS : 7783-82-6 WF6 고순도 99.999% 5N 반도체 재료 제품 소개 텅스텐 헥사 플루오 라이드는 실온에서 무색 가스이며, 강한 매운 맛, 독성이며 불소의 독성과 유사하며, 분자식은 WF 6 이고 분자량은 297.830, 끓는점은 17.5 ℃이고 녹는 점은 2.3 ℃입니다. 텅스텐 헥사 플루오 라이드는 유기 용매에 용해되어 물에 분해 될 수 있으며, 공기 중에 수분으로 분해 된 다음 크게 담배를 피 웁니다. 화학 특성은 활성화되어 있으며 거의 모든 금속 (금 및 백금 제외) 및 부식성 니켈, 모넬 합금 및 스테인리스...

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